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| 申请号 | 200610050725.7 |
申请日 | 2006.05.12 |
| 名称 | 一种硅料清洁方法 |
| 公开(公告)号 | CN1947869 |
公开(公告)日 | 2007.04.18 |
| 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I;C23G1/02(2006.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 地址 | 314117浙江省嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号 |
| 发明(设计)人 | 吴云才 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 |
代理人 | 徐关寿 |
| 专利描述 |
本发明属于半导体材料清洁处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表层杂 质的清洁工艺，按下列步骤完成：(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中； (2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4) 测定纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。经本发明清洁后的废硅料完全 清除了硅料表层的杂质和污物，符合制作半导体元器件的材料要求，为缓解硅 料资源紧缺作出了贡献。 |
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