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| 申请号 | 200810163005.0 |
申请日 | 2008.12.11 |
| 名称 | 一种多晶硅料的提纯方法 |
| 公开(公告)号 | CN101748481A |
公开(公告)日 | 2010.06.23 |
| 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 地址 | 浙江省嘉善县姚庄工业园宝群路8号 |
| 发明(设计)人 | 吴云才;刘伟;刘文涛;聂帅 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 |
代理人 | 徐关寿 |
| 专利描述 |
本发明涉及一种多晶硅料的提纯方法，尤其是一种去除低等级硅中的磷杂质的提纯方法。本方法对硅料进行低压熔炼和直拉结晶，其特征在于包括以下步骤：将硅料投入配有磁场激励装置的熔化结晶设备中加热熔化；将熔融的硅熔体进行低压蒸馏熔炼；将熔炼后的硅熔体进行磁控直拉结晶，获得到太阳能级硅晶体；所述的硅料的提纯方法中所述的磁场激励装置产生的磁感应强度为500～1000Gs。本发明利用磁场抑制了硅熔体的热对流和机械搅拌产生的对流，可以有效的去除低等级硅中的磷杂质，获得高纯度的硅材料，使其能够大规模、大比例地应用于制造高效率太阳能电池用的硅片，另外还具有安装简单、维修方便的优点。 |
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