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| 专利名称 | 直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法 |
专利号 | 200610155648.1 |
| 申请人/专利权人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人 | 吴云才;刘磊磊 |
| 专利描述 | 本发明属于硅料回收处理技术领域，特别涉及直拉法生长硅单晶产生的锅 底料的除杂方法，①将锅底硅料破碎至粒径为3～12mm的颗料状；②调配除杂 溶液：氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7～9的比例混合置入耐酸槽中；③硅 粒用耐酸篮盛放，沉浸入耐酸槽中，搅拌硅粒；④硅粒在耐酸槽的除杂溶液中 浸泡1～2小时，从耐酸槽中移走；⑤用水冲洗耐酸篮内的硅粒，待冲洗液pH＝7， 烘干硅粒。本发明利用物理方法结... |
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| 专利名称 | 一种废硅料清洗方法 |
专利号 | 200610050726.1 |
| 申请人/专利权人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人 | 吴云才 |
| 专利描述 | 本发明属于半导体材料清洗处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表面污 物的废硅料清洗方法，包括下列步骤：(1)硅料投放于碱液中浸泡；(2)待碱液 中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(3)投放于第二个碱液中浸泡； (4)待碱液中硅料上浮时，捞取硅料，用纯水冲洗并沥干；(5)投放于盐酸、过 氧化氢的混合溶液中浸泡，压缩空气鼓泡；(6)将中和液中浸泡的硅料投放于纯 水中浸泡，捞取并烘干。经... |
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| 专利名称 | 一种硅料清洁方法 |
专利号 | 200610050725.7 |
| 申请人/专利权人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人 | 吴云才 |
| 专利描述 | 本发明属于半导体材料清洁处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表层杂 质的清洁工艺，按下列步骤完成：(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中； (2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4) 测定纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。经本发明清洁后的废硅料完全 清除了硅料表层的杂质和污物，符合制作半导体元器件的材料要求，为缓解硅 料资源紧缺作出了贡献。 |
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| 专利名称 | 一种多晶硅料的提纯方法 |
专利号 | 200810163005.0 |
| 申请人/专利权人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人 | 吴云才;刘伟;刘文涛;聂帅 |
| 专利描述 | 本发明涉及一种多晶硅料的提纯方法，尤其是一种去除低等级硅中的磷杂质的提纯方法。本方法对硅料进行低压熔炼和直拉结晶，其特征在于包括以下步骤：将硅料投入配有磁场激励装置的熔化结晶设备中加热熔化；将熔融的硅熔体进行低压蒸馏熔炼；将熔炼后的硅熔体进行磁控直拉结晶，获得到太阳能级硅晶体；所述的硅料的提纯方法中所述的磁场激励装置产生的磁感应强度为500～1000Gs。本发明利用磁场抑制... |
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| 专利名称 | 一种太阳能硅片清洗后表面残留物的检测方法 |
专利号 | 201010580182.6 |
| 申请人/专利权人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人 | 杨长剑;袁刚;陈斯奇;王伟;贾平;司旭亮 |
| 专利描述 | 本发明涉及属于硅片清洗技术领域，具体涉及一种太阳能硅片清洗后表面残留物的检测方法。所述检测方法包括以下步骤：将水溶性荧光粉添加至硅片清洗液中，硅片经超声波清洗和漂洗后，对待检硅片或水样滤纸进行紫外光谱分析，比对判断后记录分析结果。本发明在硅片浸泡式湿式化学清洗法中，创造性地引入荧光检测，能够以肉眼简便快捷而又直观的看到硅片清洗残留情况，来检测硅片的清洗效果，避免因... |
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